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NTMSD3P303R2
100
10
V GS = 12 V
SINGLE PULSE
T A = 25 ° C
1.0 ms
10 ms
di/dt
1.0
dc
I S
t a
t rr
t b
0.1
0.01
1
R DS(on)
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1.0
10
100
t p
I S
0.25 I S
TIME
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 13. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
0.1
0.05
0.02
Chip
Junction 2.32 W
Normalized to R q JA at Steady State (1 ″ pad)
18.5 W 50.9 W 37.1 W 56.8 W
24.4 W
0.01
0.0014 F
0.0073 F
0.022 F
0.105 F
0.484 F
3.68 F
0.01
1E ? 03
Single Pulse
1E ? 02
1E ? 01
1E+00
1E+01
1E+02
Ambient
1E+03
t, TIME (s)
Figure 15. FET Thermal Response
http://onsemi.com
6
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